报告题目(中文)：基于III族氮化物的紫外发光器件：从外延生长到微纳结构设计

报告题目(英文)：Nitride-based Ultraviolet Light Emitting Devices: from epitaxial growth to structure design

报告内容简介：在第三代半导体材料中，III族氮化物以氮化镓（GaN）、氮化铟镓（InGaN）、氮化铝镓（AlGaN）为典型代表。他们具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和和漂移速率高、抗辐照能力强等优越性能，是固态照明、电子电力及微波射频器件的核心，在光电子（LED、激光器、光电探测器）、电力电子（智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子）和微波射频（5G通信、雷达预警、卫星通讯）等领域具有广阔的应用前景。本报告将重点介绍团队在GaN和AlGaN材料的外延生长以及紫外光电器件的设计和开发工作。在紫外LED领域中，我们将首先介绍基于蓝宝石衬底斜切角度的调控，对高铝组分AlGaN多层量子阱（MQW）内的相分离和载流子局域化的研究。通过提高衬底斜切角，使得紫外LED内量子效率高达90%，为领域最高水平之一。其次，报告将阐明光子晶体对于紫外LED光子提取效率、以及发光极化度（TE/TM比例）的影响机制，尤其是当引入不同内应力条件时光子提取效率的差异。这一工作证明了当压缩应力和光子晶体共同作用于紫外LED时，器件的发光效率才能实现最优化；报告的最后还将简要阐述基于横向选区外延（SAG）方法制备GaN微纳结构的工艺，以及基于GaN微纳结构实现空腔谐振廊受激辐射（WGM lasing）的原理。这一工作为低阈值、高增益紫外激光器的开发提供了新的思路。

报告人姓名：郭炜副研究员

报告人简介(中文)：郭炜，博士，中科院宁波材料所副研究员。2010年本科毕业于上海交通大学，2014年博士毕业于美国北卡州立大学宽禁带材料实验室，2015年在美国Applied Materials Inc任工艺工程师，2016年加入中科院宁波材料所，研究方向为第三代半导体材料与器件，目前在AlGaN材料的MOCVD外延、新型紫外LED/紫外激光器的发光调控、新型GaN/AlGaN电子电力器件开发等领域取得了较多国内外领先成果。郭博士目前主持国家自然科学基金青年基金、宁波市创新2025重大专项、宁波市“3315创新团队计划”等项目，参与承担科技部“第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术”、浙江省重点研发计划等课题。目前在SCI期刊杂志发表论文35篇，论文引用600余次，申请中国发明专利8项。

报告人单位(中文)：中科院宁波材料研究所

报告时间：2019-06-05 13:00

报告地点：宝山校区材料学院B楼520报告厅

主办单位：ylzzcom永利总站材料学院

联系人：吴亮